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Hynix annuncia la realizzazione di chip di DDR3 da 1Gb a 40nm

 
09.02.2009 - Hynix annuncia la realizzazione di chip di DDR3 da 1Gb a 40nm

Hynix Semiconductor ha annunciato il completamento della fase di sviluppo di chip di memoria DRAM DDR3 fabbricati con un processo tecnologico a 40nm e caratterizzati da una densita di 1-gigabit (1Gb). I nuovi chip sono pienamente conformi con le specifiche delle DDR3 DRAM definite da Intel, per cui sono in attesa delle relativa certificazione da parte del chip maker statunitense.

La massima velocitÓ in termini di bit rate offerta dai chip Ŕ, in accordo al produttore, pari a 2133Mbps (megabit per secondo). Tra i vantaggi offerti dalla variazione eseguita dal punto di vista della tecnologia di produzione, che Ŕ passata da 50nm a 40nm, vi Ŕ la riduzione del consumo di potenza derivante dalla maggiore efficienza energetica dei transistor.

La produzione in volumi di tali componenti avrÓ inizio nel terzo trimestre dell'anno corrente.





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