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Samsung sviluppa memorie DDR3 low-power operanti a 1.25V

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16.09.2011 - Samsung sviluppa memorie DDR3 low-power operanti a 1.25V

Samsung Electronics ha reso noto di aver completato la fase di sviluppo di nuovi moduli di memoria RAM DDR3 (Double Data Rate-3) di tipo Registered Dual Inline Memory Modules (RDIMMs) dedicati all'equipaggiamento dei sistemi server low-power orientati al mercato enterprise.

Le nuove RDIMM DDR3, infatti, possono vantare una tensione di polarizzazione molto bassa e pari nello specifico a 1.25V: si tratta di un valore evidentemente inferiorie sia a quello dei prodotti standard che lavorano a 1.5V sia a quello delle soluzioni ecologiche attuali, che invece sono polarizzate a 1.35V.

Samsung Electronics utilizza, per le nuove RDIMM da 16GB, quattro chip di DDR3 da 4Gb per modulo; ciascuno dei chip Ŕ realizzato con un processo produttivo a 30nm. Il produttore, inoltre, osserva che con la tensione di polarizzazione pari a 1.25V, ciascun modulo RDIMM da 16GB consuma soltanto 3.7W all'ora ed assicura una banda massima pari a 1.333Mbps.

Le nuove RDIMM @ 1.25V di Samsung saranno prodotte in volumi nel corso del prossimo anno; le capacitÓ previste al momento dal maker sono le seguenti: 4GB, 8GB e 16GB.





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