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 11.07.2018   Samsung avvia la produzione in volumi dei chip di V-NAND a 96 layer da 256Gb
 

 

Samsung ha comunicato di aver avviato la produzione in volume dei suoi chip di memoria V-NAND di tipo TLC di quinta generazione e caratterizzati da una capacitÓ pari a 256Gb.

I nuovi chip di Samsung sono caratterizzati da una architettura che prevede l'utilizzo di 96 layer, ed Ŕ questa una specifica nettamente superiore a quella dei chip a 64 layer della generazione precedente.

I chip di memoria V-NAND di tipo TLC di quinta generazione firmati Samsung sono polarizzati con una tensione pari a 1.2V, sensibilmente inferiore al valore, pari a 1.8V, tipico della generazione precedente.

Inoltre, il tempo di risposta ai segnali di lettura Ŕ stato ridotto fino a 0.05ms mentre il tempo di scrittura Ŕ sceso a 0.5ms; inoltre la nuova interfaccia "Toggle DDR 4.0" garantisce un data rate pari a 1.4Gbps per la comunicazione tra gli SSD e la memoria centrale.





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Tags: chip  |  produzione in volumi  |  samsung  |  storage  |  tlc  |  v-nand

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